一种VCSEL和APD集成芯片及其制备方法

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	一种VCSEL和APD集成芯片及其制备方法
	杨晓杰; 宋院鑫; 杨国文; 赵卫东
	2018-12-07
著作权人	度亘激光技术(苏州)有限公司
专利号	CN108963750A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	一种VCSEL和APD集成芯片及其制备方法
英文摘要	本发明涉及探测技术领域，公开了一种VCSEL和APD集成芯片及其制备方法，集成芯片包括信号发射单元、信号接收单元、控制单元和数据处理单元，信号发射单元包括叠层的第一信号接收结构层和第一信号发射结构层，信号接收单元包括叠层的第二信号接收结构层和第二信号发射结构层，第一信号发射结构层上的电极电连接至信号发射单元一侧，形成接触点，第二信号接收结构层上的电极电连接至信号接收单元的一侧，形成接触点，各接触点分别连接控制单元和数据处理单元。第一信号接收结构层和第二信号接收结构层为APD结构层，第一信号发射结构层和第二信号发射结构层为VCSEL结构层。本发明实现了VCSEL和APD高度集成的光电感测系统。
公开日期	2018-12-07
申请日期	2018-07-18
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57184]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	度亘激光技术(苏州)有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	杨晓杰,宋院鑫,杨国文,等. 一种VCSEL和APD集成芯片及其制备方法. CN108963750A. 2018-12-07.