一种VCSEL芯片及制作方法
贾钊; 赵炆兼; 马祥柱; 张国庆; 陈凯轩
2018-11-30
著作权人扬州乾照光电有限公司
专利号CN108923253A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种VCSEL芯片及制作方法
英文摘要本发明公开了一种VCSEL芯片及制作方法,该制作方法包括:提供一衬底,衬底划分为中间区域和包围中间区域的边缘区域;在中间区域上生长覆盖中间区域的结构层;生长氧化层,氧化层覆盖边缘区域以及覆盖结构层的侧壁和背离衬底一侧的表面;在氧化层背离结构层的一侧生长第一保护层,第一保护层部分覆盖中间区域,在氧化层背离衬底的一侧生长第二保护层,第二保护层部分覆盖边缘区域;对氧化层进行氧化处理;去除第一保护层,并在氧化层背离结构层的一侧生长P型布拉格反射镜层;去除第二保护层,并制作电极结构。该制作方法降低了工艺难度,在氧化处理阶段对氧化层进行氧化处理后再生长额外的外延层结构,其氧化均匀性很容易得以控制。
公开日期2018-11-30
申请日期2018-07-05
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57177]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位扬州乾照光电有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
贾钊,赵炆兼,马祥柱,等. 一种VCSEL芯片及制作方法. CN108923253A. 2018-11-30.
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