一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器及其制备方法 | |
邹永刚; 李保志; 石琳琳; 马晓辉; 王小龙; 范杰; 王海珠; 徐英添; 张贺 | |
2018-10-02 | |
著作权人 | 长春理工大学 |
专利号 | CN108616031A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器及其制备方法 |
英文摘要 | 本发明公开了一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器,从上到下依次为:上反射层、中间层、激光器half‑VCSEL区,中间层包括液晶层和间隔层,间隔层围绕圆台结构形成一圈墙面结构,液晶层位于上述墙面结构内;其中的液晶层实现了激光器内部偏振增益各向异性,可使TE/TM偏振基态对应的波长位置有效分离,进而实现宽调谐范围波长偏振稳定控制;液晶层与VCSEL半导体材料连接界面处,在液晶“形式双折射”效应的作用下,大大提高液晶层的调谐效率。本发明还公开了提供上述激光器的制备方法。 |
公开日期 | 2018-10-02 |
申请日期 | 2018-04-20 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57029] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 长春理工大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹永刚,李保志,石琳琳,等. 一种含取向膜的单偏振可调谐半导体激光器及其制备方法. CN108616031A. 2018-10-02. |
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