一种掺镝氧化镥可见波段激光晶体及其制备方法
施佼佼; 徐军; 唐慧丽; 王庆国; 吴锋; 罗平; 刘斌
2018-06-08
著作权人同济大学
专利号CN108130591A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种掺镝氧化镥可见波段激光晶体及其制备方法
英文摘要本发明涉及一种掺镝氧化镥可见波段激光晶体及其制备方法,该晶体的化学式为(DyxLu1‑x)2O3,其中x的取值范围为0.00001~0.3,其晶胞参数为0411nm,密度为9.42g/cm3。采用光学浮区法生长掺镝氧化镥激光晶体,生长气氛为高纯氩。与现有技术相比,本发明掺镝氧化镥激光晶体可采用InGaN激光二极管泵浦,并且具有较大的黄光荧光分支比,有望实现可见波段的高效黄光输出。该发明可广泛应用于医疗、通讯、显微镜、生物医学等。
公开日期2018-06-08
申请日期2017-12-07
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56808]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位同济大学
推荐引用方式
GB/T 7714
施佼佼,徐军,唐慧丽,等. 一种掺镝氧化镥可见波段激光晶体及其制备方法. CN108130591A. 2018-06-08.
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