一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法 | |
庞晓露; 杨杨; 高克玮; 杨会生; 徐秋发; 李东东; 童海生 | |
2018-05-15 | |
著作权人 | 北京科技大学 |
专利号 | CN108034928A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法 |
英文摘要 | 本发明涉及一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法。该装置包括半导体激光器、XRD分析仪、具有成分梯度分布的薄膜样品以及场发射扫描电子显微镜。采用双靶磁控共溅射的方法制备成分梯度分布的薄膜样品,薄膜样品要求在横向上成分梯度分布,在纵向上均匀分布。薄膜样品在真空条件下采用激光热处理加热,激光采用线扫的方式自上向下扫描,激光能量不断改变。因此薄膜样品表面纵向上成分相同,热处理工艺参数不同,横向上成分不同,热处理工艺参数相同,因此可以研究成分‑组织对性能的影响。 |
公开日期 | 2018-05-15 |
申请日期 | 2017-12-04 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56761] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 北京科技大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 庞晓露,杨杨,高克玮,等. 一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法. CN108034928A. 2018-05-15. |
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