| 一种半导体激光器材料的制备方法 | |
| 王庶民; 王畅 | |
| 2018-04-13 | |
| 著作权人 | 超晶科技(北京)有限公司 |
| 专利号 | CN107910750A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器材料的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器材料的制备方法，包括：提供半导体供体衬底，并在该供体基底上外延生长缓冲层，在所述缓冲层上生长牺牲层，在所述牺牲层上生长半导体薄膜层；在半导体薄膜层侧进行离子注入，在所述牺牲层内形成缺陷层；提供柔性衬底，并使所述半导体薄膜层和柔性衬底键合；对缺陷层进行退火处理，将顶层薄膜沿牺牲层从供体衬底上剥离，得到含有供体衬底的第一基底和含有柔性衬底的第二基底，并去除第二基底上的牺牲层，得到键合有半导体薄膜层的柔性基底。本发明的方法为供体衬底可重复利用，省去减薄工艺的半导体激光器材料制备方法。 |
| 公开日期 | 2018-04-13 |
| 申请日期 | 2017-06-28 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56721]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 超晶科技(北京)有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王庶民,王畅. 一种半导体激光器材料的制备方法. CN107910750A. 2018-04-13. |
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