| 一种Rb原子饱和吸收稳频795nm外腔面发射激光器 | |
| 桂永雷; 张精华; 赵振起; 孙权; 邵志强 | |
| 2018-04-13 | |
| 著作权人 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
| 专利号 | CN107910744A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种Rb原子饱和吸收稳频795nm外腔面发射激光器 |
| 英文摘要 | 一种Rb原子饱和吸收稳频795nm外腔面发射激光器，本发明涉及一种外腔面发射激光器。本发明要解决现有技术存在激光频率漂移的问题。一种Rb原子饱和吸收稳频795nm外腔面发射激光器由垂直腔面发射激光器、光隔离器件、压电光子晶体光栅、激光控制电路、锁相放大器、差分探测器、Rb原子气室及光学镜头组成。其可以有效抑制激光频率漂移，应用于Rb原子的激光冷却与囚禁，大大提高原子钟和核磁共振陀螺等激光信息频率为基础的传感器的稳定性和精确度。 |
| 公开日期 | 2018-04-13 |
| 申请日期 | 2017-12-06 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56716]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 桂永雷,张精华,赵振起,等. 一种Rb原子饱和吸收稳频795nm外腔面发射激光器. CN107910744A. 2018-04-13. |
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