| 分布反馈半导体激光器及其制备方法 | |
| 王健; 罗毅; 孙长征; 熊兵 | |
| 2018-02-16 | |
| 著作权人 | 清华大学 |
| 专利号 | CN107706738A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布反馈半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种分布反馈（DFB）半导体激光器。所述DFB半导体激光器包括光栅和输出光端面，该光栅位于条状波导的欧姆接触层和波导上限制层两侧，由周期性的半导体和绝缘材料构成；所述输出光端面为刻蚀形成的垂直于衬底表面的端面，所述DFB半导体激光器无需解离就可以进行端面镀膜。本发明还涉及上述DFB半导体激光器的制备方法，所述DFB半导体激光器在整个制备方法中只需要一次外延，通过刻蚀波导两侧的欧姆接触层和上限制层、并填充绝缘材料实现所述DFB半导体激光器的光栅，通过刻蚀波导两端的上限制层、有源层、下限制层和一部分衬底以及整个晶片镀膜实现DFB半导体激光器的输出光端面。 |
| 公开日期 | 2018-02-16 |
| 申请日期 | 2016-08-09 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56641]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王健,罗毅,孙长征,等. 分布反馈半导体激光器及其制备方法. CN107706738A. 2018-02-16. |
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