| 可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法 | |
| 耿煜; 张运生 | |
| 2017-08-11 | |
| 著作权人 | 深圳信息职业技术学院 |
| 专利号 | CN107037534A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法 |
| 英文摘要 | 本发明适用于光电领域，提供了一种可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法，该器件包括：多层结构的基底，基底从底至顶底依次包括衬底以及在衬底上依次逐层生长出的第一N型接触层、N型包层、第二N型接触层、有源区、P型接触层和无定型硅波导层；硅波导区，硅波导区通过将所述无定型硅波导层第一次刻蚀为条状结构形成，硅波导区的两侧均暴露出条状的P型接触层。本发明通过III‑V的直接生长，在III‑V或着Si衬底上一次性直接生长各种III‑V光电器件层状结构，并使用无定型硅和SiO2为光波导，连接各个器件，避免使用键合技术和昂贵的SOI衬底，制作工艺简单，有利于大规模低成本生产。 |
| 公开日期 | 2017-08-11 |
| 申请日期 | 2017-05-23 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56105]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 深圳信息职业技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 耿煜,张运生. 可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法. CN107037534A. 2017-08-11. |
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