| 一种半导体激光器结构及其制备方法 | |
| 任夫洋; 苏建; 陈康; 刘青; 郑兆河; 徐现刚 | |
| 2019-09-10 | |
| 著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 专利号 | CN110224300A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种半导体激光器结构及其制备方法。所述半导体激光器结构包括由下至上依次设置的N‑金属层、N‑电流阻挡层、衬底、外延材料层、P‑电流阻挡层及P‑金属层；所述衬底下表面有设置有周期性排列孔洞和N‑电流阻挡层。本发明在衬底减薄后设置孔洞及电流阻挡层，释放外延片内部应力，N面焊接封装时增大与焊料接触面积，键合牢固，缓冲热应力，同时限制电流注入区域，提高光电转换效率。 |
| 公开日期 | 2019-09-10 |
| 申请日期 | 2018-03-02 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55518]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任夫洋,苏建,陈康,等. 一种半导体激光器结构及其制备方法. CN110224300A. 2019-09-10. |
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