| 一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法 | |
| 张宇; 魏斌 | |
| 2019-06-11 | |
| 著作权人 | 山东大学 |
| 专利号 | CN109873297A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法，属于光电子领域，包括导电衬底，导电衬底上制作有金属层，金属层上窗口处制作有介质DBR层，介质DBR层上制作有透明导电层，透明导电层上依次制作有p型半导体层、多量子阱有源层和n型半导体层，n型半导体层上表面生长制备有多孔导电DBR层，多孔导电DBR层上表面制作有绝缘介质层，绝缘介质层覆盖多孔导电DBR层、n型半导体层、多量子阱有源层、p型半导体层以及透明导电层，绝缘介质层上表面制作有n电极。本发明通过金属键合技术将外延结构转移到导电性较好的衬底上，并采用电化学腐蚀形成多孔GaN导电DBR结构，增加器件可工作的电流密度，提高光电性能。 |
| 公开日期 | 2019-06-11 |
| 申请日期 | 2019-04-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55291]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张宇,魏斌. 一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法. CN109873297A. 2019-06-11. |
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