VCSEL阵列芯片及其制作方法
郭冠军; 贾钊; 赵炆兼; 曹广亮
2019-05-21
著作权人扬州乾照光电有限公司
专利号CN109787086A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名VCSEL阵列芯片及其制作方法
英文摘要本发明提供了一种VCSEL阵列芯片及其制作方法,涉及VCSEL阵列芯片技术领域,包括台柱、N‑DBR层、砷化镓衬底及N面电极;N‑DBR层及N面电极分别设置在砷化镓衬底的两侧,台柱设置在N‑DBR层上;台柱为中空的圆柱形结构,台柱的中央为金属孔;相邻台柱之间相交且相邻台柱的金属孔不相交;本发明提供的VCSEL阵列芯片中相邻台柱之间相交且相邻台柱的金属孔不相交,在同样面积芯片内制作更多的台柱时,与现有技术中的台柱相比,台柱的直径较长,使得台柱上的电极的接触面积增加,电极的欧姆接触电阻减小,欧姆接触电压降低,进而降低了欧姆接触电阻的热功率,增加了阵列芯片的光输出功率,提高了光电转换效率。
公开日期2019-05-21
申请日期2019-01-23
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55246]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位扬州乾照光电有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
郭冠军,贾钊,赵炆兼,等. VCSEL阵列芯片及其制作方法. CN109787086A. 2019-05-21.
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