VCSEL阵列芯片及其制作方法 | |
郭冠军; 贾钊; 赵炆兼; 曹广亮 | |
2019-05-21 | |
著作权人 | 扬州乾照光电有限公司 |
专利号 | CN109787086A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | VCSEL阵列芯片及其制作方法 |
英文摘要 | 本发明提供了一种VCSEL阵列芯片及其制作方法,涉及VCSEL阵列芯片技术领域,包括台柱、N‑DBR层、砷化镓衬底及N面电极;N‑DBR层及N面电极分别设置在砷化镓衬底的两侧,台柱设置在N‑DBR层上;台柱为中空的圆柱形结构,台柱的中央为金属孔;相邻台柱之间相交且相邻台柱的金属孔不相交;本发明提供的VCSEL阵列芯片中相邻台柱之间相交且相邻台柱的金属孔不相交,在同样面积芯片内制作更多的台柱时,与现有技术中的台柱相比,台柱的直径较长,使得台柱上的电极的接触面积增加,电极的欧姆接触电阻减小,欧姆接触电压降低,进而降低了欧姆接触电阻的热功率,增加了阵列芯片的光输出功率,提高了光电转换效率。 |
公开日期 | 2019-05-21 |
申请日期 | 2019-01-23 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55246] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 扬州乾照光电有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭冠军,贾钊,赵炆兼,等. VCSEL阵列芯片及其制作方法. CN109787086A. 2019-05-21. |
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