| 垂直腔面发射量子级联激光器 | |
| 程凤敏; 张锦川; 王东博; 赵越; 刘峰奇; 卓宁; 王利军; 刘俊岐; 刘舒曼; 王占国 | |
| 2019-03-01 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN109412018A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直腔面发射量子级联激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种垂直腔面发射量子级联激光器，包括：量子点有源区层，在激光器有源区的每个周期中插入量子点插层形成量子点有源区层；分布布拉格反射镜层和光栅层，分布布拉格反射镜层结合光栅层构成垂直方向的谐振腔，实现面发射。本发明通过在一个有源区层中适当位置引入量子点插层，量子点态作为电子辐射跃迁的末态，使器件的辐射模式有垂直于量子阱平面的电场分量，能够制成传统的垂直腔面发射激光器。一方面，能够提高器件的功率、转化效率，降低阈值电流；另一方面，能够显著降低器件的尺寸，减小阈值电流。 |
| 公开日期 | 2019-03-01 |
| 申请日期 | 2018-12-11 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55031]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程凤敏,张锦川,王东博,等. 垂直腔面发射量子级联激光器. CN109412018A. 2019-03-01. |
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