| 用于制作半导体激光二极管的方法以及激光二极管 | |
| C·科里亚索; G·米奈格海尼; R·保莱蒂 | |
| 2019-02-05 | |
| 著作权人 | 普里马电子股份公司 |
| 专利号 | CN109309343A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于制作半导体激光二极管的方法以及激光二极管 |
| 英文摘要 | 本公开涉及用于制作半导体激光二极管的方法以及激光二极管。一种在具有稳定波长的半导体激光器的平面部分中制作具有分布式光栅反射器(RT)的激光二极管的方法，包括：提供由基板、布置在基板上的第一包覆层、布置在第一包覆层上并适于发射辐射的有源层和布置在有源层上的第二包覆层以及接触层形成的二极管，所述包覆层适于形成异质结以允许电流到有源层中的有效注入和光学限制。制造方法提供以在器件的第一部分上产生波导以用于光学辐射的限制，并且在器件的其余部分上产生用于光反射和限制的两种不同光栅。通过光刻和随后的蚀刻来实现用于限制光学辐射的波导，而光栅的制作需要高分辨率光刻和从平面区域起的浅蚀刻。 |
| 公开日期 | 2019-02-05 |
| 申请日期 | 2018-07-30 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/54989]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 普里马电子股份公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | C·科里亚索,G·米奈格海尼,R·保莱蒂. 用于制作半导体激光二极管的方法以及激光二极管. CN109309343A. 2019-02-05. |
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