| 一种用于掩埋型异质结激光器的电流限制结构 | |
| 穆瑶; 李马惠; 燕聪慧; 崔月月; 宋晓栋; 王超超; 王娜; 赵迪; 田童飞; 长孙强强 | |
| 2019-09-06 | |
| 著作权人 | 陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司 |
| 专利号 | CN209358061U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种用于掩埋型异质结激光器的电流限制结构 |
| 英文摘要 | 本实用新型提供的一种用于掩埋型异质结激光器的电流限制结构，包括台状波导结构，所述台状波导结构的顶部为直柱状结构，且其顶部的表面形成有掩膜层；该电流限制结构的台状波导结构的顶部为直柱状结构，且其顶部为掩膜层结构，缩小了两层电流限制层之间的泄露通道，从而提高了电流注入效率。进一步的，在台状波导结构的两侧形成的P/N/P型磷化铟形成电流限制层，使得台状脊波导结构两侧会形成高耸的漏斗形貌，也同时提高了激光器的电流注入效率，最终提高激光器的可靠性及常高温功率特性。 |
| 公开日期 | 2019-09-06 |
| 申请日期 | 2019-01-22 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49475]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 穆瑶,李马惠,燕聪慧,等. 一种用于掩埋型异质结激光器的电流限制结构. CN209358061U. 2019-09-06. |
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