| 一种GaN基激光器制备方法和结构 | |
| 李亮; 刘应军; 汤宝; 王任凡 | |
| 2018-11-02 | |
| 著作权人 | 武汉电信器件有限公司 |
| 专利号 | CN105406358B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种GaN基激光器制备方法和结构 |
| 英文摘要 | 本发明适用于半导体光电技术领域，提供了一种GaN基激光器制备方法和结构，所述制备方法包括：在第一外延片的表面p‑GaN层上沉积介质膜；通过光刻或者刻蚀方式，在所述介质膜上形成双脊窗口区，所述双脊窗口区贯穿到所述p‑GaN层；在所述双脊窗口区范围内的所述p‑GaN层上外延生长p‑GaN；在外延生长的p‑GaN表面交替沉积高低折射率材料，形成介质膜上限制层。在介质膜上限制层上沉积金属，由所述沉积金属构成p电极。本发明所述的激光器采用介质膜形成激光器上限制层，可有效增加激光器的限制因子，降低内损耗；此外电流通过p‑GaN注入，可有效减小激光器电阻，降低激光器工作电压，提升激光器的性能。 |
| 公开日期 | 2018-11-02 |
| 申请日期 | 2015-11-25 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49328]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李亮,刘应军,汤宝,等. 一种GaN基激光器制备方法和结构. CN105406358B. 2018-11-02. |
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