| 波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法 | |
| 罗飚; 王任凡 | |
| 2015-03-25 | |
| 著作权人 | 武汉电信器件有限公司 |
| 专利号 | CN103022892B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法，所述大功率激光器芯片结构包括：在衬底(0)上依次生成的缓冲层(1)、第一渐变限制层(2)、第一波导层(3)、第二波导层(4)、第一量子阱垒层(5)、量子阱有源层(6)、第二量子阱垒层(7)、第三波导层(8)、腐蚀停止层(9)、第四波导层(10)、第二渐变限制层(11)、欧姆接触层(12)、绝缘介质层(13)、P型上电极(14)以及N型下电极(15)。通过所述制作方法获得的结构由于增加了P型InGaP构成的腐蚀停止层，便于控制腐蚀深度，对提高生产效率以及成品率起到很好的作用。 |
| 公开日期 | 2015-03-25 |
| 申请日期 | 2012-12-14 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49235]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗飚,王任凡. 波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法. CN103022892B. 2015-03-25. |
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