| 808nm平顶光场大功率激光器 | |
| 宁吉丰; 陈宏泰; 车相辉; 王彦照; 林琳; 位永平; 王晶 | |
| 2015-05-27 | |
| 著作权人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 专利号 | CN204361476U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 808nm平顶光场大功率激光器 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种808nm平顶光场大功率激光器，涉及半导体激光器技术领域；包括衬底以及在衬底上从下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下光场作用层、下波导层、量子阱层、上波导层、上光场作用层、上限制层和电极接触层，所述下光场作用层采用高掺杂的N型AlGaAs材料，上光场作用层采用高掺杂的P型AlGaAs材料。本实用新型快轴光场顶部分布均匀，能够进一步降低有源区光功率密度，提高激光器的可靠性和耐用性。 |
| 公开日期 | 2015-05-27 |
| 申请日期 | 2015-02-03 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48622]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宁吉丰,陈宏泰,车相辉,等. 808nm平顶光场大功率激光器. CN204361476U. 2015-05-27. |
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