| 一种被动调Q微片激光器 | |
| 李大汕; 张哨峰; 吕超 | |
| 2012-01-11 | |
| 著作权人 | 上海高意激光技术有限公司 |
| 专利号 | CN202111365U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种被动调Q微片激光器 |
| 英文摘要 | 本实用新型涉及一种激光器，属于激光技术领域。一种被动调Q微片激光器，其特征在于包括以下部件：半导体激光器，作为泵浦光源用于泵浦激光介质；激光介质，置于半导体激光器正面，产生受激辐射;可饱和吸收体，置于激光介质之后，部分吸收激光介质发出的受激辐射，产生激光脉冲输出；耦合光学系统，将所述半导体激光器产生的激光束整形并耦合到激光介质内；激光谐振腔，由两面反射腔镜组成，用于形成激光振荡输出；滤光片，用于反射激光脉冲输出的部分能量；光电二极管，用于检测激光脉冲输出信号；所述激光介质与可饱和吸收体位于所述激光谐振腔内。本实用新型将激光介质与可饱和吸收体组合成一体，有利于产生更短脉宽的激光脉冲输出。 |
| 公开日期 | 2012-01-11 |
| 申请日期 | 2011-04-22 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48456]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海高意激光技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李大汕,张哨峰,吕超. 一种被动调Q微片激光器. CN202111365U. 2012-01-11. |
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