| 单片集成式多波长半导体锁模激光器 | |
| 刘松涛; 张希林; 陆丹; 张瑞康; 吉晨; 王圩 | |
| 2017-10-03 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN104617486B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 单片集成式多波长半导体锁模激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种单片集成式多波长半导体锁模激光器的设计方案。该方案通过干法刻蚀工艺在同一半导体衬底上集成一组半导体光放大器(SOA)有源阵列，相位调制器(PM)阵列、相位延迟波导阵列(Delay Lines)、阵列波导光栅(AWG)和饱和吸收体(SA)。其中，SOA有源阵列分别为各个波长通道提供增益，通过控制注入SOA的电流控制激射波长的输出功率；AWG主要起到选模及复用不同波长的功能；SA实现被动锁模或者混合锁模。 |
| 公开日期 | 2017-10-03 |
| 申请日期 | 2014-11-04 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47973]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘松涛,张希林,陆丹,等. 单片集成式多波长半导体锁模激光器. CN104617486B. 2017-10-03. |
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