| Dioda laserowa na bazie stopu AllnGaN | |
| STAŃCZYK SZYMON; KAFAR ANNA; CZERNECKI ROBERT; SUSKI TADEUSZ; PERLIN PIOTR; GRZANKA SZYMON | |
| 2017-11-06 | |
| 著作权人 | TOPGAN SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ |
| 专利号 | PL228535B1 |
| 国家 | 波兰 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Dioda laserowa na bazie stopu AllnGaN |
| 英文摘要 | The invention relates to an AlInGaN alloy based laser diode, which uses a gallium nitride substrate. It also includes a lower cladding layer, a lower light-guiding layer-cladding, a light emitting layer, an upper light-guiding-cladding layer, an upper cladding layer, and a subcontact layer. The lower light-guiding-cladding layer and the upper light-guiding-cladding layer have a continuous, non-step-like and smooth change of indium and/or aluminium content. |
| 公开日期 | 2018-04-30 |
| 申请日期 | 2015-11-10 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47846]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOPGAN SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | STAŃCZYK SZYMON,KAFAR ANNA,CZERNECKI ROBERT,et al. Dioda laserowa na bazie stopu AllnGaN. PL228535B1. 2017-11-06. |
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