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	集積型光学的デバイスの製造方法
	ペーテル·レオ·ブーフマン; ペーテル·フエテイガ; オツト·フエーゲリ; デイビツド·ジヨン·ウエブ
	1995-11-13
著作权人	インターナシヨナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレーシヨン
专利号	JP1995105573B2
国家	日本
文献子类	授权发明
其他题名	集積型光学的デバイスの製造方法
英文摘要	PURPOSE: To obtain a semiconductor laser mirror having a very flat and smooth horizontal surface by forming a laminate having a stripe waveguide having a broad terminated end on a wafer, and anisotropically etching a mirror face across the broad terminated end so that only a short part thereof is shallow. CONSTITUTION: A positive resist is applied on an active layer 31 of a laminate, exposed through a laser ridge pattern, developed to form a patterned photo resist 32 having thin parts 32.1 and broad parts 32.2, and ridges 33 along a 0-pattern of the photo resist. Anisotropic etching forms grooves 39 of the mirror face into the ridge 33 surface, with leaving self-aligned separated contact stripes only. A mask 37 for etching the grooves 39 is formed. By a Cl2 /Ar-CAIBE process using Ar and Cl, the grooves are etched, and hard baked resist 37 is removed by ashing in an O-plasma.
公开日期	1995-11-13
申请日期	1990-06-15
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47375]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	インターナシヨナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレーシヨン
推荐引用方式 GB/T 7714	ペーテル·レオ·ブーフマン,ペーテル·フエテイガ,オツト·フエーゲリ,等. 集積型光学的デバイスの製造方法. JP1995105573B2. 1995-11-13.

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