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	一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构
	潘旭; 张露; 吴波; 张小宾; 杨翠柏
	2016-10-05
著作权人	中山德华芯片技术有限公司
专利号	CN205622044U
国家	中国
文献子类	实用新型
其他题名	一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构
英文摘要	本实用新型公开了一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构，包括有n‑GaAs衬底，在n‑GaAs衬底上由下至上依次外延生长n‑GaAs缓冲层、n‑AlxGa1‑xAs组分渐变层、n‑AlxGa1‑xAs下限制层、AlxGa1‑xAs下波导层、AlxGa1‑xAs下势垒层、量子阱有源层、AlxGa1‑xAs上势垒层、AlxGa1‑xAs上波导层、p‑AlxGa1‑xAs上限制层、p‑AlxGa1‑xAs组分渐变层、p‑GaAs顶层；AlxGa1‑xAs上波导层的厚度小于AlxGa1‑xAs下波导层的厚度，量子阱有源层中包含一个AlxGa1‑xAs双势垒阻挡层，p‑AlxGa1‑xAs上限制层、p‑AlxGa1‑xAs组分渐变层、p‑GaAs顶层中的掺杂剂为四溴化碳或者四氯化碳。本实用新型可以降低激光器激射波长线宽，减少电子散失，提高有源区内电子与空穴的辐射复合效率。
公开日期	2016-10-05
申请日期	2016-03-22
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47063]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中山德华芯片技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	潘旭,张露,吴波,等. 一种大功率量子阱半导体激光器外延片结构. CN205622044U. 2016-10-05.

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