| EEPROM 28C64和28C256的14MEV中子辐照特性 | |
| 贺朝会; 陈晓华; 刘恩科; 王燕萍; 李国政; 耿斌; 杨海亮 | |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 1999 | |
| 期号 | 4页码:262-266 |
| 关键词 | 中子辐照 总剂量效应 单粒子效应 EEPROM |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | CSCD ; PKU |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6628240 |
| 专题 | 西安交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贺朝会,陈晓华,刘恩科,等. EEPROM 28C64和28C256的14MEV中子辐照特性[J]. 微电子学,1999(4):262-266. |
| APA | 贺朝会.,陈晓华.,刘恩科.,王燕萍.,李国政.,...&杨海亮.(1999).EEPROM 28C64和28C256的14MEV中子辐照特性.微电子学(4),262-266. |
| MLA | 贺朝会,et al."EEPROM 28C64和28C256的14MEV中子辐照特性".微电子学 .4(1999):262-266. |
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