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	热解氮化硼大口径坩埚及其在半导体工业中的应用
	赵凤鸣 ; 何宏家 ; 夏德谦 ; 王勇 ; 刘同顺 ; 曹福年 ; 陈宏毅 ; 梁宗俊 ; 姜维新 ; 朱自明 ; 李伟 ; 谢自力 ; 程其祥 ; 隆雅琴 ; 陈宏亮
	1992
关键词	大尺度 砷化镓 单晶制备 生产工艺 坩埚 氮化硼陶瓷 高温陶瓷
中文摘要	该项成果采用中频感应炉加热气相沉积新工艺，研制出φ４″和５″的热解氮化硼（ＰＢＮ）大口径坩埚，并在单晶炉内合成了国家急需研制的ＧａＡｓ单晶，显著提高了半绝缘ＧａＡｓ单晶质量，促进了我国ＧａＡｓ超高速数字集成电路、微波单片集成电路、ＧａＡｓ低噪音和功率场效应器件的发展，具有重大的社会效益和经济效益。该坩埚纯度高，厚度均匀，使用寿命长，重复性好。用此坩埚生长出热稳定性好和均匀的不掺杂ＳＩ—ＧａＡｓ单晶，并创造了一整套拉晶控制技术。该产品填补了国内空白，打破了西方对我国的封锁。
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://210.72.142.130/handle/321006/68919]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵凤鸣,何宏家,夏德谦,等. 热解氮化硼大口径坩埚及其在半导体工业中的应用. . 1992.

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