Al掺杂窄带隙氮化硅半导体及其窄化研究

	Al掺杂窄带隙氮化硅半导体及其窄化研究
	毛智勇 ; 祝迎春 ; 曾毅 ; 许钫钫 ; 99 ; 99 ; 99 ; 99
刊名	CrystEngComm
	2012-07-16
期号	14 页码:7929-7933
ISSN号	1466-8033
其他题名	Investigation of Al-doped silicon nitride-based semiconductor and its
通讯作者	Yingchun Zhu
学科主题	半导体材料
收录类别	SCI收录
公开日期	2013-07-19
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/3655]
专题	上海硅酸盐研究所_特种无机涂层重点实验室_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	毛智勇,祝迎春,曾毅,等. Al掺杂窄带隙氮化硅半导体及其窄化研究[J]. CrystEngComm,2012(14):7929-7933.
APA	毛智勇.,祝迎春.,曾毅.,许钫钫.,99.,...&99.(2012).Al掺杂窄带隙氮化硅半导体及其窄化研究.CrystEngComm(14),7929-7933.
MLA	毛智勇,et al."Al掺杂窄带隙氮化硅半导体及其窄化研究".CrystEngComm .14(2012):7929-7933.