Fabrication of Ti ohmic contact to n-type 6H-SiC without high-temperature annealing

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	Fabrication of Ti ohmic contact to n-type 6H-SiC without high-temperature annealing
	Chang SH(常少辉) ; Liu XC(刘学超) ; Huang W(黄维) ; Xiong Z(熊泽) ; Yang JH(杨建华) ; Shi EW(施尔畏)
刊名	Chin. Phys. B
	2012-09-10
卷号	21 期号:9 页码:096801-1-096801-4
ISSN号	1674-1056
其他题名	Fabrication of Ti ohmic contact to n-type 6H-SiC without high-temperature annealing
通讯作者	刘学超
学科主题	人工晶体
收录类别	SCI收录
语种	英语
WOS记录号	WOS:000308870300063
公开日期	2013-07-19
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/3773]
专题	上海硅酸盐研究所_中试基地_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Chang SH,Liu XC,Huang W,et al. Fabrication of Ti ohmic contact to n-type 6H-SiC without high-temperature annealing[J]. Chin. Phys. B,2012,21(9):096801-1-096801-4.
APA	常少辉,刘学超,黄维,熊泽,杨建华,&施尔畏.(2012).Fabrication of Ti ohmic contact to n-type 6H-SiC without high-temperature annealing.Chin. Phys. B,21(9),096801-1-096801-4.
MLA	常少辉,et al."Fabrication of Ti ohmic contact to n-type 6H-SiC without high-temperature annealing".Chin. Phys. B 21.9(2012):096801-1-096801-4.