| 一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置 | |
| 肖金泉, 高俊华, 闻立时, 张林, 石南林, 宫骏 and 孙超 | |
| 2012-05-30 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本实用新型涉及硅薄膜材料的制备领域,具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置。包括真空室、抽气装置,其特征在于：所述溅射真空装置内设有非平衡态向下溅射的平面孪生硅靶,孪生硅靶下方设有基片加热台,基片加热台与孪生硅靶之间设有挡板,基片加热台下方设有一串联的电磁线圈组。本实用新型采用外加电磁线圈连续调整孪生靶的非平衡度,实现了低功耗下纳米硅薄膜高速率的离子辅助沉积,薄膜晶体结构大范围可控、光学带隙可调。 |
| 公开日期 | 2012-05-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN202246841U |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/67892]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖金泉, 高俊华, 闻立时, 张林, 石南林, 宫骏 and 孙超. 一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置. 2012-05-30. |
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