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低太阳吸收率氧化铝-硅酸钾热控涂层及其制备方法
张蕾 and 严川伟
2004-03-10
专利国别中国
专利类型发明专利
权利人中国科学院金属研究所
中文摘要本发明提供一种低太阳吸收率氧化铝-硅酸钾热控涂层及其制备方法,该涂层由硅酸钾、二乙醇胺、乳化剂、六偏磷酸钠、分散剂、消泡剂、轻、重质碳酸钙、滑石粉、云母粉、氧化铝粉和水组成浆料,与苯丙烯酸乳液按1∶0.4-0.9的重量混合。本发明的涂层空间行为稳定、抗原子氧侵蚀效果显著,热吸收率低,热控效果好,适用于近地轨道飞行器如卫星、载人飞船、空间站和航天飞机等航天器以及各类空间探测器。
公开日期2004-03-10
语种中文
专利申请号CN1480494
内容类型专利
源URL[http://210.72.142.130/handle/321006/65907]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张蕾 and 严川伟. 低太阳吸收率氧化铝-硅酸钾热控涂层及其制备方法. 2004-03-10.
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