射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性

	射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性
	梁继然,胡明,阚强,后顺保,梁秀琴,陈弘达
刊名	纳米技术与精密工程
	2012
卷号	10 期号:2 页码:160-164
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2013-06-03
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24139]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	梁继然,胡明,阚强,后顺保,梁秀琴,陈弘达. 射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性[J]. 纳米技术与精密工程,2012,10(2):160-164.
APA	梁继然,胡明,阚强,后顺保,梁秀琴,陈弘达.(2012).射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性.纳米技术与精密工程,10(2),160-164.
MLA	梁继然,胡明,阚强,后顺保,梁秀琴,陈弘达."射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性".纳米技术与精密工程 10.2(2012):160-164.