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	基于硅和过渡金属硫化物的肖特基场效应管及制备方法
	姜向伟; 马晓雷; 陈杰智
	2019-06-18
权利人	中国科学院半导体研究所 ; 山东大学
公开日期	2019-06-18
URL标识	查看原文
内容类型	专利
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6468546
专题	山东大学
推荐引用方式 GB/T 7714	姜向伟,马晓雷,陈杰智. 基于硅和过渡金属硫化物的肖特基场效应管及制备方法. 2019-06-18.

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