Ab initio study of antisite defective layered Ge2Sb2Te5

	Ab initio study of antisite defective layered Ge2Sb2Te5
	Zhou, J ; Sun, ZM ; Pan, YC ; song, zt(重点实验室） ; Ahuja, R
刊名	MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS
	2012
卷号	133 期号:1 页码:159-162
关键词	Materials Science Multidisciplinary
ISSN号	0254-0584
学科主题	Materials Science
收录类别	SCI
原文出处	10.1016/j.matchemphys.2012.01.001
语种	英语
公开日期	2013-05-10
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115548]
专题	上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Zhou, J,Sun, ZM,Pan, YC,et al. Ab initio study of antisite defective layered Ge2Sb2Te5[J]. MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS,2012,133(1):159-162.
APA	Zhou, J,Sun, ZM,Pan, YC,song, zt,&Ahuja, R.(2012).Ab initio study of antisite defective layered Ge2Sb2Te5.MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS,133(1),159-162.
MLA	Zhou, J,et al."Ab initio study of antisite defective layered Ge2Sb2Te5".MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS 133.1(2012):159-162.