Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory

	Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory
	Zhang, C ; song, zt(重点实验室） ; Wu, GP ; Liu, B(重点实验室） ; Wan, XD ; Wang, L ; Wang, LH ; Yang, ZY ; Chen, B ; Feng, SL(重点实验室）
刊名	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
	2011
卷号	32 期号:8 页码:1014-1016
关键词	Engineering Electrical & Electronic
ISSN号	0741-3106
学科主题	Engineering
收录类别	SCI
原文出处	10.1109/LED.2011.2155028
语种	英语
公开日期	2013-05-10
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115520]
专题	上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Zhang, C,song, zt,Wu, GP,et al. Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2011,32(8):1014-1016.
APA	Zhang, C.,song, zt.,Wu, GP.,Liu, B.,Wan, XD.,...&Feng, SL.(2011).Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,32(8),1014-1016.
MLA	Zhang, C,et al."Design and Fabrication of Dual-Trench Epitaxial Diode Array for High-Density Phase-Change Memory".IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 32.8(2011):1014-1016.