InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm
Li, Xin-Kun ; Liang, De-Chun ; Jin, Peng ; An, Qi ; Wei, Heng ; Wu, Jian ; Wang, Zhan-Guo
刊名chinese physics b
2012
卷号21期号:2页码:028102
学科主题半导体材料
收录类别EI
语种英语
公开日期2013-04-19
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23904]  
专题半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Li, Xin-Kun,Liang, De-Chun,Jin, Peng,et al. InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm[J]. chinese physics b,2012,21(2):028102.
APA Li, Xin-Kun.,Liang, De-Chun.,Jin, Peng.,An, Qi.,Wei, Heng.,...&Wang, Zhan-Guo.(2012).InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm.chinese physics b,21(2),028102.
MLA Li, Xin-Kun,et al."InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm".chinese physics b 21.2(2012):028102.
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