InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm | |
Li, Xin-Kun ; Liang, De-Chun ; Jin, Peng ; An, Qi ; Wei, Heng ; Wu, Jian ; Wang, Zhan-Guo | |
刊名 | chinese physics b |
2012 | |
卷号 | 21期号:2页码:028102 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | EI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2013-04-19 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23904] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, Xin-Kun,Liang, De-Chun,Jin, Peng,et al. InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm[J]. chinese physics b,2012,21(2):028102. |
APA | Li, Xin-Kun.,Liang, De-Chun.,Jin, Peng.,An, Qi.,Wei, Heng.,...&Wang, Zhan-Guo.(2012).InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm.chinese physics b,21(2),028102. |
MLA | Li, Xin-Kun,et al."InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm".chinese physics b 21.2(2012):028102. |
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