Protection effect of a SiO2 layer in Al0.85Ga 0.15As wet oxidation
Zhou, Wenfei ; Ye, Xiaoling ; Xu, Bo ; Zhang, Shizhu ; Wang, Zhanguo
刊名journal of semiconductors
2012
卷号33期号:10页码:102002
学科主题半导体材料
收录类别EI
语种英语
公开日期2013-04-19
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23894]  
专题半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhou, Wenfei,Ye, Xiaoling,Xu, Bo,et al. Protection effect of a SiO2 layer in Al0.85Ga 0.15As wet oxidation[J]. journal of semiconductors,2012,33(10):102002.
APA Zhou, Wenfei,Ye, Xiaoling,Xu, Bo,Zhang, Shizhu,&Wang, Zhanguo.(2012).Protection effect of a SiO2 layer in Al0.85Ga 0.15As wet oxidation.journal of semiconductors,33(10),102002.
MLA Zhou, Wenfei,et al."Protection effect of a SiO2 layer in Al0.85Ga 0.15As wet oxidation".journal of semiconductors 33.10(2012):102002.
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