Protection effect of a SiO2 layer in Al0.85Ga 0.15As wet oxidation | |
Zhou, Wenfei ; Ye, Xiaoling ; Xu, Bo ; Zhang, Shizhu ; Wang, Zhanguo | |
刊名 | journal of semiconductors |
2012 | |
卷号 | 33期号:10页码:102002 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | EI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2013-04-19 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23894] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhou, Wenfei,Ye, Xiaoling,Xu, Bo,et al. Protection effect of a SiO2 layer in Al0.85Ga 0.15As wet oxidation[J]. journal of semiconductors,2012,33(10):102002. |
APA | Zhou, Wenfei,Ye, Xiaoling,Xu, Bo,Zhang, Shizhu,&Wang, Zhanguo.(2012).Protection effect of a SiO2 layer in Al0.85Ga 0.15As wet oxidation.journal of semiconductors,33(10),102002. |
MLA | Zhou, Wenfei,et al."Protection effect of a SiO2 layer in Al0.85Ga 0.15As wet oxidation".journal of semiconductors 33.10(2012):102002. |
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