| Ⅲ-Ⅴ族锑化物红外激光材料及器件应用技术 | |
| 未知 | |
| 2004 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 该项目又名“1.9-2.1μm中红外AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器MBE材料”,主要成果有：用固态源分子束外延方法生长出达器件质量的1.9-2.1μm中红外AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料和AlGaAsSb/InGaAsSb PIN探测器材料;发展了自主知识产权的AlGaAsSb、InGaAsSb、GaSb材料的两种腐蚀液体系;研制出中红外脊波导AlGaAsSb/InGaAsSb MQW激光器和AlGaAsSb/InGaAsSb PIN探测器;建立了中红外材料和器件的表征方 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113429]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 未知. Ⅲ-Ⅴ族锑化物红外激光材料及器件应用技术. 鉴定:无. 2004. |
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