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	GAN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长与高温微电子器件研究-“GAN基材料RF等离子体MBE生长”
	未知
	2004
获奖类别	鉴定
获奖等级	无
中文摘要	该项目取得的主要成果有：建立了射频等离子体分子束外延系统及辅助系统;在白宝石、SiC HVPE GaN/Al_2O_3三种衬底上生长出具光学特性、结构特性、电学特性的GaN、AlGaN(X_(A1)0-0.25)材料;研制了AlGaN/GaN/Al_2O_3、GaN/AlGaN/4H-SiC HEMT和二维电子气结构材料,进行了GaN器件单项基础工艺试验,建立了GaN磨削方法,获得稳定的刻蚀速度;研制了光电导型GaN紫外探测器;建立了7K-350K变温He-Cd光源紫外－红外光栅光谱仪,用来测量宽禁带材料
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113426]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果
推荐引用方式 GB/T 7714	未知. GAN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长与高温微电子器件研究-“GAN基材料RF等离子体MBE生长”. 鉴定:无. 2004.

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