SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究

	SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究
	余学峰; 李豫东
	2010
会议名称	第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会
会议日期	2010
会议地点	贵阳
中文摘要	本文从FPGA器件内部最丛本的CMOS单元出发，分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系，进而研究Altera SRAM型FPGA器件60Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应。
会议主办者	中国电子学会中国核学会
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2338]
专题	新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
推荐引用方式 GB/T 7714	余学峰,李豫东. SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究[C]. 见:第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会. 贵阳. 2010.