国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究

	国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究
	余学峰
	2009
会议名称	中国核学会2009年学术年会
会议日期	2009
会议地点	北京
中文摘要	研究了不同辐射偏置条件下国产N 沟VDMOS器件的总剂量辐射损伤及退火效应.探讨了阈值电压、击穿电压、漏电流、导通电阻等随累积剂量、退火时间的变化关系.实验表明:随着累积剂量的增加,阈值电压负向漂移,但变化在规定的范围内,退火后得到部分恢复;击穿电压变小,在退火后得到很好的恢复,但100℃退火时,在漏加偏置电压的条件下,发生了所谓的"击穿蠕变"现象;漏电流发生漂移,但变化很小,漏电增大得到了很好的改进;导通电阻在辐照及随后的退火实验中无明显的变化.
会议主办者	中国核学会
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2332]
专题	新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
推荐引用方式 GB/T 7714	余学峰. 国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究[C]. 见:中国核学会2009年学术年会. 北京. 2009.