CCD的总剂量效应及加固方法研究

	CCD的总剂量效应及加固方法研究
	郭旗; 李豫东
	2011
会议名称	第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
会议日期	2011
会议地点	三亚
中文摘要	通过CCD的60Co γ射线与高能电子辐照试验，研究了器件的电离总剂量效应，从器件结构和工艺方面分析了器件的辐射损伤机理与加固方法。在此基础上，对采用抗辐射加固设计的某1024×1024元CCD进行了60Co γ射线辐照试验．结果表明，采取抗辐射加固措施研制的CCD抗电离辐射总剂量能力达到了较高的水平．
收录类别	wanfang
会议主办者	中国电子学会
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2320]
专题	新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
推荐引用方式 GB/T 7714	郭旗,李豫东. CCD的总剂量效应及加固方法研究[C]. 见:第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议. 三亚. 2011.