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	提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法
	石明吉 ; 曾湘波 ; 张长沙 ; 刘石勇 ; 彭文博 ; 肖海波
	2010-08-12
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	本发明公开了一种提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法，该方法包括:在不透明衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，P型层又分为P层和P+层;在生长P层时，将P层的生长时间延长t秒，在P层生长完毕后，保持氢气流量、温度和辉光功率不变，采用氢等离子体刻蚀方法对P层刻蚀t秒，接着生长P+层;电池从反应室取出后，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，处理过程简便易行，既能够有效提高非晶硅薄膜太阳能电池的开路电压，得到大面积高开压的非晶硅薄膜太阳能电池，同时又具有成本低，可规模化生产的优点。
英文摘要	本发明公开了一种提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法，该方法包括:在不透明衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，P型层又分为P层和P+层;在生长P层时，将P层的生长时间延长t秒，在P层生长完毕后，保持氢气流量、温度和辉光功率不变，采用氢等离子体刻蚀方法对P层刻蚀t秒，接着生长P+层;电池从反应室取出后，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，处理过程简便易行，既能够有效提高非晶硅薄膜太阳能电池的开路电压，得到大面积高开压的非晶硅薄膜太阳能电池，同时又具有成本低，可规模化生产的优点。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3558.pdf: 595066 bytes, checksum: 07af082e64d33a4a4578f2947634d09e (MD5)
公开日期	2010-02-24 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15
申请日期	2008-08-20
语种	中文
专利申请号	CN200810118736.3
专利代理	周国城:中科专利商标代理有限责任公司
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13384]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	石明吉,曾湘波,张长沙,等. 提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法. 2010-08-12.

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