GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法

	GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法
	李路
	2007-08-29
专利类型	发明
英文摘要	Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:58:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/200610003179.pdf: 787914 bytes, checksum: ca71419c769335663870a53b4faeb601 (MD5) Previous issue date:
公开日期	2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15
申请日期	2006-02-22
语种	中文
专利申请号	200610003179
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3803]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	李路. GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法. 2007-08-29.