在解理面上制作半导体纳米结构的方法

	在解理面上制作半导体纳米结构的方法
	金鹏; 徐波
	2006-01-25
专利类型	发明
英文摘要	Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:57:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/200410069295.pdf: 478790 bytes, checksum: 767ac77074abc68525b126f88271d965 (MD5) Previous issue date:
公开日期	2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15
申请日期	2004-07-20
语种	中文
专利申请号	CN200410069295.4
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3171]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	金鹏,徐波. 在解理面上制作半导体纳米结构的方法. 2006-01-25.