QQ客服 官方微博 反馈留言

	Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
	Luan, Chongbiao; Lin, Zhaojun; Feng, Zhihong; Meng, Lingguo; Lv, Yuanjie; Cao, Zhifang; Yu, Yingxia; Wang, Zhanguo
	2012
卷号	112
期号	5
DOI	10.1063/1.4752254
收录类别	EI
会议录	Journal of Applied Physics
URL标识	查看原文
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6048389
专题	山东大学
作者单位	1.School of Physics, Shandong University, Jinan 250100, China 2.[W
推荐引用方式 GB/T 7714	Luan, Chongbiao,Lin, Zhaojun,Feng, Zhihong,et al. Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors[C]. 见:.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。