| 980nm垂直外腔面发射激光器理论分析 | |
| 单肖楠 ; 路国光 ; 何春凤 ; 秦莉 ; 晏长岭 ; 王立军 | |
| 2006-03-01 | |
| 会议地点 | 中国四川绵阳 |
| 关键词 | 激光技术 半导体激光器 垂直外腔面发射激光器 光抽运 |
| 中文摘要 | 利用周期谐振增益结构设计了以 InGaAs/GaAsP/AlGaAs 为有源区的980 nm 二极管抽运垂直外腔面发射半导体激光器的材料结构。根据理论模型计算了纵模限制因子、阈值增益、光增益、输出功率等特征参量。优化了激光器特征参量并设计了光抽运垂直外腔面发射激光器的器件结构。理论计算表明,激光二极管(LD)抽运的垂直外腔面发射激光器的输出功率将大于1W。 |
| 收录类别 | 中国会议 |
| 会议录出版者 | 科学出版社 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32743]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出_会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 单肖楠,路国光,何春凤,等. 980nm垂直外腔面发射激光器理论分析[C]. 见:. 中国四川绵阳. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论