通过生长低温插入层制备自剥离HVPE氮化镓的方法 | |
田媛; 郝霄鹏; 吴拥中; 张雷; 邵永亮; 戴元滨; 霍勤; 张保国 | |
2015 | |
会议名称 | 第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17) |
关键词 | 氮化镓 氢化物气相外延法 自剥离 插入层 |
会议录 | 第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6037552 |
专题 | 山东大学 |
作者单位 | 山东大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 田媛,郝霄鹏,吴拥中,等. 通过生长低温插入层制备自剥离HVPE氮化镓的方法[C]. 见:第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17). |
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