射频功率和衬底温度对碳化锗膜中sp3杂化碳原子的影响

	射频功率和衬底温度对碳化锗膜中sp3杂化碳原子的影响
	王笑夷 ; 高劲松 ; 陈红 ; 王彤彤 ; 申振峰 ; 郑宣鸣
刊名	红外与激光工程
	2012-08-25
期号	08 页码:2167-2172
关键词	碳化锗 sp3杂化碳原子射频功率衬底温度
公开日期	2013-03-11
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/28014]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	王笑夷,高劲松,陈红,等. 射频功率和衬底温度对碳化锗膜中sp3杂化碳原子的影响[J]. 红外与激光工程,2012(08):2167-2172.
APA	王笑夷,高劲松,陈红,王彤彤,申振峰,&郑宣鸣.(2012).射频功率和衬底温度对碳化锗膜中sp3杂化碳原子的影响.红外与激光工程(08),2167-2172.
MLA	王笑夷,et al."射频功率和衬底温度对碳化锗膜中sp3杂化碳原子的影响".红外与激光工程 .08(2012):2167-2172.