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纳米β-SiC薄膜过剩载流子衰减特性分析
韩晓霞[1]; 于威[2]; 张立[3]; 崔双魁[4]; 路万兵[5]
刊名河北大学学报(自然科学版)
2006
卷号26期号:2页码:152-156
关键词纳米β-SiC 过剩载流子 微波吸收
ISSN号1000-1565
DOIhttp://dx.doi.org/10.3969/j.issn.1000-1565.2006.02.011
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收录类别CSCD
WOS记录号WOS:
内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5981904
专题河北大学
作者单位[1]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[2]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[3]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[4]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[5]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002
推荐引用方式
GB/T 7714
韩晓霞[1],于威[2],张立[3],等. 纳米β-SiC薄膜过剩载流子衰减特性分析[J]. 河北大学学报(自然科学版),2006,26(2):152-156.
APA 韩晓霞[1],于威[2],张立[3],崔双魁[4],&路万兵[5].(2006).纳米β-SiC薄膜过剩载流子衰减特性分析.河北大学学报(自然科学版),26(2),152-156.
MLA 韩晓霞[1],et al."纳米β-SiC薄膜过剩载流子衰减特性分析".河北大学学报(自然科学版) 26.2(2006):152-156.
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