纳米β-SiC薄膜过剩载流子衰减特性分析 | |
韩晓霞[1]; 于威[2]; 张立[3]; 崔双魁[4]; 路万兵[5] | |
刊名 | 河北大学学报(自然科学版) |
2006 | |
卷号 | 26期号:2页码:152-156 |
关键词 | 纳米β-SiC 过剩载流子 微波吸收 |
ISSN号 | 1000-1565 |
DOI | http://dx.doi.org/10.3969/j.issn.1000-1565.2006.02.011 |
URL标识 | 查看原文 |
收录类别 | CSCD |
WOS记录号 | WOS: |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5981904 |
专题 | 河北大学 |
作者单位 | [1]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[2]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[3]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[4]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002[5]河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩晓霞[1],于威[2],张立[3],等. 纳米β-SiC薄膜过剩载流子衰减特性分析[J]. 河北大学学报(自然科学版),2006,26(2):152-156. |
APA | 韩晓霞[1],于威[2],张立[3],崔双魁[4],&路万兵[5].(2006).纳米β-SiC薄膜过剩载流子衰减特性分析.河北大学学报(自然科学版),26(2),152-156. |
MLA | 韩晓霞[1],et al."纳米β-SiC薄膜过剩载流子衰减特性分析".河北大学学报(自然科学版) 26.2(2006):152-156. |
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