Fermi-level pinning in full metal/high-k/SiO2/Si stacks | |
Huang, Anping; Zhang, Xinjiang; Li, Yue; Wang, Mei; Xiao, Zhisong | |
刊名 | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
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2017 | |
卷号 | 122 |
ISSN号 | 0021-8979 |
DOI | 10.1063/1.5005570 |
URL标识 | 查看原文 |
收录类别 | SCIE ; EI |
WOS记录号 | WOS:000415703300020 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5936391 |
专题 | 北京航空航天大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Huang, Anping,Zhang, Xinjiang,Li, Yue,et al. Fermi-level pinning in full metal/high-k/SiO2/Si stacks[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2017,122. |
APA | Huang, Anping,Zhang, Xinjiang,Li, Yue,Wang, Mei,&Xiao, Zhisong.(2017).Fermi-level pinning in full metal/high-k/SiO2/Si stacks.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,122. |
MLA | Huang, Anping,et al."Fermi-level pinning in full metal/high-k/SiO2/Si stacks".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 122(2017). |
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