QQ客服 官方微博 反馈留言

	深亚微米CMOS反相器的单粒子瞬态效应研究
	高成; 张芮; 王怡豪; 黄姣英
刊名	微电子学
	2019
卷号	49页码:729-734
关键词	CMOS反相器 单粒子瞬态效应 TCAD仿真 脉冲激光试验
ISSN号	1004-3365
DOI	10.13911/j.cnki.1004-3365.180493
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5914526
专题	北京航空航天大学
推荐引用方式 GB/T 7714	高成,张芮,王怡豪,等. 深亚微米CMOS反相器的单粒子瞬态效应研究[J]. 微电子学,2019,49:729-734.
APA	高成,张芮,王怡豪,&黄姣英.(2019).深亚微米CMOS反相器的单粒子瞬态效应研究.微电子学,49,729-734.
MLA	高成,et al."深亚微米CMOS反相器的单粒子瞬态效应研究".微电子学 49(2019):729-734.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。